Купить Модули памяти серверные DDR4 ECC REG от 8035 ₽ - в разделе Модули памяти от представителя в России
Оперативная память Samsung DDR4 128GB LRDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg Load Reduced 1.2V (M386AAG40AM3-CWE) 1 year, OEM
M386AAG40AM3-CWEZY
0 шт.
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1
Наличие буфера на модуле памяти (Registered): Да
Напряжение, В: 1.2000
Объём, Мб: 131072
118 133 ₽
Оперативная память Samsung DDR4 128GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V (M393AAG40M32-CAE) 1 year, OEM
M393AAG40M32-CAECO
0 шт.
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1
Наличие буфера на модуле памяти (Registered): Да
Напряжение, В: 1.2000
Объём, Мб: 131072
113 360 ₽
Оперативная память Samsung DDR4 16GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V (M393A2K40DB3-CWE) 1 year, OEM
M393A2K40DB3-CWEBY
0 шт.
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1
Латентность (CL): 22
Наличие буфера на модуле памяти (Registered): Да
Напряжение, В: 1.2000
Объём, Мб: 16384
8 026 ₽
Оперативная память Samsung DDR4 32GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V (M393A4K40DB3-CWE) 1 year, OEM
M393A4K40DB3-CWEBQ
0 шт.
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 2
Наличие буфера на модуле памяти (Registered): Да
Напряжение, В: 1.2000
Объём, Мб: 32768
11 690 ₽
Оперативная память Samsung DDR4 32GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V (M393A4K40EB3-CWE) 1 year, OEM
M393A4K40EB3-CWECQ
0 шт.
Поддержка ECC: Да
Тип оперативной памяти: DDR4
Латентность (CL): 22
Наличие буфера на модуле памяти (Registered): Да
Напряжение, В: 1.2000
Объём, Мб: 32768
12 891 ₽
Оперативная память Samsung DDR4 64GB RDIMM (PC4-23400) 2933MHz ECC Reg 1.2V (M393A8G40AB2-CVF) 1 year, OEM
M393A8G40AB2-CVFBY
0 шт.
Количество контактов: 288
Поддержка ECC: да
Low Profile: н/д
Латентность (CL): н/д
Напряжение, В: 1.2000
Объём, Мб: 65536
29 487 ₽
Опертивная память Kingston Server Premier DDR4 32GB RDIMM 2666MHz ECC Registered 1Rx4, 1.2V (Hynix C Rambus), 1 year
KSM26RS4/32HCR
0 шт.
Количество контактов: 288
Поддержка ECC: Да
Латентность (CL): 19
Наличие буфера на модуле памяти (Registered): Да
Напряжение, В: 1.2000
Объём, Мб: 32768
14 153 ₽
Показано с 109 по 115 из 115 (всего 10 страниц)